Transphorm FET利用简单的半桥门驱动器实现高达99%的效率，验证了在超过一千瓦的宽广功率范围内具有成本效益的设计方案

加利福尼亚州戈利塔--(美国商业资讯)--Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是全球下一代电力系统中的GaN（氮化镓）技术领导者，最近推出了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。该设计方案适用于LED照明、充电、微逆变器、UPS和游戏电脑等低到中功率应用，进一步巩固了公司在30亿美元电力市场中对上述领域客户的价值定位。

与竞争对手需要定制驱动器或门保护装置的电平转换电路的e-mode氮化镓器件解决方案不同，Transphorm的SuperGaN® FET器件因与现成驱动器配对而易于驱动。这一强大能力为客户在使用Transphorm器件时带来成本优势。新定义的解决方案采用了高速、非隔离、高压半桥门驱动器，进一步降低了系统的总成本，而不会影响GaN FET器件或系统性能。

Transphorm高级副总裁、业务拓展和市场营销负责人Philip Zuk表示：“我们的通常断开型氮化镓平台能够与知名现成驱动器配合使用，因此更具竞争力。能够选择驱动器是一项重要优势。客户可根据不同程度的性能优势选择驱动器，同时让电力系统成本更加可控。这对价格敏感的终端市场尤为重要。”他继续说道：“Transphorm器件提供的是更高的性能，即能够让客户基于所需的最终结果构建BOM，尽可能以更具成本效益的方式实现所需性能。”

Transphorm还推荐了各种其他驱动器，这些驱动器具有高隔离电压等级（控制到输出驱动信号）、短传播延迟时间、快速开关时间和可编程死区时间等优点，非常适合高功率应用。

中低功率应用（如电源适配器、游戏笔记本电脑充电器、LED照明以及两轮和三轮车充电器等）对价格敏感。这些类型产品中的电源系统通常不需要安全隔离等高级功能。因此，使用高级驱动器可能会不必要地增加物料清单 (BOM) 的成本。

性能分析

半桥门驱动器与Transphorm的PQFN88封装650V、72mΩ器件 TP65H070LSG型号进行了测试，可用于桥式拓扑，如谐振半桥、电压谐振逆变器、正弦波逆变器或主动钳位反激。

测试结果表明，在开关频率小于等于150kHz时，无论是否使用散热器或强制风冷，低成本驱动器解决方案均表现良好。在某些配置中，该解决方案最终实现了接近99%的效率。

应用笔记获取

如需进一步了解上述解决方案，请下载题为《Low Cost, High Density, High Voltage Silicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications》（适用于中低功率GaN FET应用的低成本、高密度、高电压硅驱动器）的应用笔记，链接：https://bit.ly/3MTfQtB。

关于 Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性氮化镓半导体功率元件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体元件。归功于垂直整合的商业模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新，包括设计、制造、元件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多资讯，请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter：@transphormusa和微信：@Transphorm_GaN关注我们。

SuperGaN标志是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

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