日本川崎--(美国商业资讯)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)扩大了其采用最新一代工艺制造的N沟道功率MOSFET产品线^[1]，该产品采用适合数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器的600V超级结结构。新产品“TK055U60Z1”是DTMOSVI系列中的首款600V产品，自即日起开始发货。

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通过优化栅极设计和工艺，与具有相同漏源电压额定值的Toshiba当前一代DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品单位面积漏源导通电阻降低约13%，MOSFET性能品质因数漏源导通电阻×栅漏电荷约降低52%，从而确保该系列同时实现低导通损耗和低开关损耗，有助于提高开关电源的效率。

新产品采用TOLL封装，可实现其栅极驱动的信号源端子开尔文连接。封装中源极线中电感的影响得以降低，从而增强MOSFET的高速开关性能，抑制开关期间的振荡。

Toshiba将继续扩大其600V DTMOSVI系列产品阵容，及其已经发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来支持节能。

注：
[1] 截至2023年6月。

应用

· 数据中心（服务器用开关电源等）

· 光伏发电机功率调节器

· 不间断电源系统

特点

· 实现低漏源导通电阻×栅漏电荷，并实现高效率开关电源

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Toshiba：DTMOSVI系列的600V N沟道功率MOSFET TK055U60Z1。（图示：美国商业资讯）