新器件结合现有存储单元与先进CMOS技术，实现高投资效率

东京--(美国商业资讯)--全球存储解决方案领域的领军企业Kioxia Corporation今日宣布，已启动采用第九代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的1Tb三级单元(TLC)存储器件的样品出货¹。这些器件专为需要高性能的中低存储容量应用而设计，例如支持AI的PC和智能手机。

Kioxia继续依托其创新的CMOS直接键合至阵列(CBA)技术²和同间距选择栅极漏极(OPS)技术³来推进双轴战略。在独特的双轴战略指导下，Kioxia正同步推进两条不同的产品线：一是以相对较低的投资成本实现高性能的第九代解决方案；二是利用先进层堆叠技术实现超大容量和卓越性能的第十代技术。

这款全新的第九代BiCS FLASH™ 1Tb TLC器件基于第八代BiCS FLASH™技术和先进CMOS技术，采用230层堆叠工艺开发。其NAND接口速度达到4.8Gb/s，较第八代器件提升33%，性能与第十代器件持平⁴。

秉持“用‘记忆’让世界更美好”的使命，Kioxia将继续致力于推动技术创新，加强全球合作伙伴关系，并提供驱动现代AI基础设施的先进存储解决方案。

1. 这些样品旨在用于功能测试；实际规格可能与量产产品存在差异。
2. 将每个CMOS晶圆和存储单元阵列晶圆在各自优化状态下分别制造，然后键合在一起的技术。该技术自第八代BiCS FLASH™产品起便已被采用。
3. 通过移除未使用的存储孔，从而缩短位线并降低字线电容的技术。该技术自第八代BiCS FLASH™产品起便已被采用。
4. 1Gb/s计算为1,000,000,000比特/秒。此数值是在Kioxia Corporation的特定测试环境中测得；实际使用中的结果可能会因使用条件而有所不同。

注：

* 产品密度是根据产品内部存储芯片的密度确定的，而非最终用户可用于数据存储的内存容量。由于存在冗余数据区、格式化、坏块及其他限制，消费者可使用的容量会更少，且可能因主机设备和应用程序的不同而有所差异。详情请参考相关产品规格。1Gb = 2^30比特 = 1,073,741,824比特。
* 读写速度是在Kioxia Corporation的特定测试环境中测得的最佳值；公司不对单个设备的读写速度作出保证。实际读写速度可能因所用设备而异。
* 公司名称、产品名称和服务名称可能第三方公司的商标。
* 本公告旨在提供有关我们业务的信息，并非也不构成出售要约或邀请或者在任何司法管辖区购买、认购或以其他方式收购任何证券的要约邀请，无意引导参与投资活动，也不应构成任何相关合同的基础或依据。
* 本文档中的信息（包括产品价格和规格、服务内容和联系信息）在公告发布之日是正确的，但如有更改，恕不另行通知。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择，并为社会创造基于存储技术的价值，从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统）的未来。

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