在日本“登月型”研发计划下，激光评估将加速高温超导带材量产技术的建立——这是支撑聚变能源实现的关键技术

日本小山--(美国商业资讯)--为尖端半导体制造工艺提供光源的制造商Gigaphoton Inc.（总部：栃木县小山市；总裁兼首席执行官：Tatsuo Enami）今日宣布，已于2026年9月25日将用于脉冲激光沉积(PLD)的L300KZ KrF准分子激光器安装至日本国内一家高温超导带材制造商。该激光器是在日本内阁府主管的“登月型”研发计划目标10下开发的，目前已针对高温超导带材的批量生产启动评估。

Gigaphoton是“登月型”计划目标10研发项目“实现多种创新聚变反应堆概念的基础超导技术”（资助编号：JPMJMS24A2）的参与机构之一。该项目旨在建立高性能稀土钡铜氧(*REBCO)带材的高质量、低成本量产技术，这种线材是聚变反应堆用超导磁体的重要组成材料。在该项目中，Gigaphoton负责开发用于PLD工艺的准分子激光器。为本次评估安装的L300KZ是一款用于高温超导材料PLD薄膜沉积的高脉冲能量激光器，其开发应用了Gigaphoton在半导体光刻用准分子激光器领域积累的技术。

在PLD工艺所使用的光源中，准分子激光器具有高脉冲能量，被广泛用于形成高质量薄膜。公司正在应用其依托在半导体光刻准分子激光器领域的丰富经验发展出的技术，包括支持稳定运行和高可用性的相关技术。Gigaphoton期望为未来PLD工艺的生产率和设备可用性的提升作出贡献。

通过此次安装，项目将进入实际PLD薄膜沉积工艺环境下的评估阶段。Gigaphoton将与项目相关机构协作，验证激光器运行条件与沉积工艺之间的关系，这将有助于提升高温超导带材的质量并推动大批量生产技术的建立。

Gigaphoton总裁兼首席执行官Tatsuo Enami表示：“在实际薄膜沉积工艺环境中安装用于PLD的准分子激光器并启动评估阶段，对Gigaphoton而言是重要进展。除高温超导带材外，我们也在展望PLD技术所涉及的更广泛先进材料领域的应用，包括功能薄膜、先进电子材料和光学材料。通过与相关机构的持续协作，Gigaphoton将为高温超导带材量产技术的建立作出贡献，同时努力在先进材料产业中创造新价值。”

关于GIGAPHOTON

Gigaphoton成立于2000年，是半导体光刻用KrF和ArF准分子激光光源的领先供应商。Gigaphoton通过先进的激光技术，帮助全球半导体制造商实现更高的生产率、更卓越的质量和更可持续的制造。其全球服务网络提供以客户为中心的支持，致力于为全球半导体制造商最大限度地提高设备可用性并保障稳定的生产运行。

依托在激光与光刻技术方面的专长，Gigaphoton正将其能力从半导体光刻拓展至新的领域，包括EUV光源，以及用于先进封装和先进材料加工应用的准分子激光器。

如需了解更多信息，请访问https://www.gigaphoton.com。

*REBCO：稀土钡铜氧，一种高温超导材料。它在达到或低于液氮温度(-196°C)时会进入零电阻的超导状态。

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