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Transphorm 的 TOLL FET 產品將氮化鎵定位為高耗能 AI 應用的最佳元件
2023年10月12日 19:00:19来源:作者:

三款新裝置將 SuperGaN 常關型 D 模式平台的優勢引進以 SMD 為基礎的大功率系統,而這類系統需要更高的可靠性和性能,同時在緻密足迹具有較低的發熱量

加州,戈利塔--(美國商業資訊)-- Transphorm, Inc. (Nasdaq代碼: TGAN) 是高性能氮化鎵功率半導體領域的全球翹楚,代表著下一代電源系統的未來。該公司今天推出了三款採用 TOLL 封裝的 SuperGaN® 氮化鎵場效應管 (FET),導通電阻分別為 35、50 和 72 毫歐姆。Transphorm 的 TOLL 封裝配置符合業界標準,意即 SuperGaN TOLL FET 可作為任何 E 模式 TOLL 解決方案的直接替代品。新元件還具備 Transphorm 經驗證的高壓動態 (開關) 導通電阻可靠性,而這正是以一流代工廠為基礎的 E 模式 GaN 產品普遍所缺乏的。如需索取樣品,請造訪 Transphorm 的產品頁面: https://www.transphormusa.com/en/products/。

這三款表面黏著元件 (SMD) 可支援在 1 至 3 千瓦的平均範圍內運行的更高功率應用。這些電源系統通常用於高性能領域,如計算 (人工智慧、伺服器、電信、資料中心)、能源和工業 (太陽光變頻器、伺服馬達) 以及其他廣泛的工業市場,這些市場目前的全球 GaN TAM 總額為 25 億美元。值得注意的是,FET 是目前極速發展的 AI 系統的最佳解決方案,這些系統依賴 GPU,其功率需要是傳統 CPU 的 10 到 15 倍之多。

Transphorm 的高功率 GaN 元件已經大量供應給領先客戶,為生產中的高性能系統供電,包括資料中心電源、高功率遊戲 PSU、UPS 和微型逆變器。TOLL 元件還可以支援多種應用,如電動車的 DC-DC 轉換器和車載充電器,底層 SuperGaN 晶片已通過汽車 (AEC-Q101) 認證。

SuperGaN TOLL FET 是 Transphorm 提供的第六種封裝類型,為客戶提供了最多樣的封裝選擇,以滿足客戶各自獨特的設計要求。與所有 Transphorm 產品一樣,TOLL 元件利用常關 D 模式 SuperGaN 平台的固有性能和可靠性帶來優勢。有關 SuperGaN 與 E 模式 GaN 的詳細競爭分析,請下載公司最新的白皮書,題為 《自共源共柵配置中的 D 模式 GaN 的基礎優勢》(The Fundamental Advantages of d-Mode GaN in Cascode Configuration)。 這份白皮書的結論與今年年初發布的一份正面對比報告一致。該報告顯示,72 毫歐姆的 SuperGaN FET 在常見的 280w 遊戲筆電充電器上的表現優於更大的 50 毫歐姆 E 模式元件。

SuperGaN 元件引領市場,無可匹敵:

  • 可靠性在 < 0.03 FIT
  • ± 20 V 時的閘極安全裕度
  • 4 V 時的抗擾度
  • 低於 E 模式 20% 時的電阻溫度係數 (TCR)
  • 採用矽控制器/驅動器中提供的標準驅動器和保護電路,實現驅動靈活性

元件規格

強悍的 650 V SuperGaN TOLL 元件通過 JEDEC 認證。由於常關 D 模式平台將 GaN HEMT 與低電壓矽 MOSFET 配對,因此 SuperGaN FET 使用常用的柵極驅動器,很容易就能驅動。它們可用於各式硬性和柔性切換的 AC 轉 DC、DC 轉 DC,以及 DC 轉 AC 創新拓撲,以提高功率密度,同時減小系統尺寸、重量和整體成本。

元件

尺寸(mm)

RDS(on) (mΩ) 類

RDS(on) (mΩ) 最高

Vth (V) 類

Id (25°C) (A) 最高

TP65H035G4QS

10 x 12

35

41

4

46.5

TP65H050G4QS

10 x 12

50

60

4

34

TP65H070G4QS

10 x 12

72

85

4

29

可用性和支援資源

SuperGaN TOLL 元件目前可提供樣品。若有意取得產品,請造訪 https://www.transphormusa.com/en/products/並提交申請。

為使 TOLL 為主的系統開發更臻完善,關鍵應用注意事項包括:

  • AN0009:Transphorm GaN FET 的推薦外部電路
  • AN0003:GaN電源開關的印刷電路板設計和檢測
  • AN0014: 低成本、高密度、高電壓矽驅動器,用於中低功率氮化鎵 FET 應用

關於 Transphorm

Transphorm, Inc. 是氮化鎵革命的全球領導者,為高壓功率轉換應用設計,以及製造高性能與高可靠性的氮化鎵半導體。Transphorm 擁有 1000 多項自有或授權專利,是功率氮化鎵知識產權組合最多的公司之一,並生產業界首批通過 JEDEC 和 AEC-Q101 認證的高壓氮化鎵半導體元件。公司的垂直整合装置業務模式利於各開發階段實現創新:設計、製造、設備和應用支援。Transphorm 的創新使電力電子元件突破了矽的限制,實現了超過 99% 的效率、使功率密度提高 50%,系統成本降低 20%。Transphorm 總部位於加州戈利塔,並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如欲瞭解更多資訊,請造訪 www.transphormusa.com。在 Twitter (@transphormusa) 和微信 (@Transphorm_GaN) 上關注我們。

SuperGaN 標誌是 Transphorm, Inc. 的註冊商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。

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+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com

投資者聯絡人:
David Hanover 或 Jack Perkins
KCSA 策略傳播
transphorm@kcsa.com

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